Шоклі Вільям Бредфорд ( народився 13.02.1910) - американський фізик, член Національної АН (1951). Народився в Лондоні. Закінчив Каліфорнійський технологічний інститут (1932). У 1936—55 працював у лабораторіях Белл-Телефон. У 1955 —58 — директор лабораторії напівпровідників «Бекман Інструментс Інкорпорейтед», у 1958 —60 — президент «Шоклі Транзистор Корпорейшн», у 1960—63 — директор «Шоклі Транзистор», 1963 — 75 — професор Стенфордського університету.
Роботи в галузі фізики твердого тіла і фізики напівпровідників (енергетичні рівні у твердих тілах, теорія дислокацій і межі зерен, експерименти і теорія феромагнітних доменів, фізика транзисторів, теорія вакуумних ламп). Відкрив «ефект поля», що мав важливе значення для винаходу транзистора (1948). Запропонував механізм рекомбінації, заснований на припущенні, що дефекти в кристалі слугують своєрідними каталізаторами для процесу рекомбінації. Експериментально довів участь неосновних носіїв у процесі перенесення у твердих тілах, спостерігав дрейф і дифузію дірок. Винайшов спосіб створення дифузійного базового електрода (дифузійний базовий транзистор). Здійснив докладне дослідження ефекту підсилення і контрольованої інжекції носіїв струму в напівпровідниках і поклав початок великій серії робіт з вивчення властивостей германію і кремнію. У 1949 спільно з Дж. Хейнсом здійснив експеримент, що дав змогу безпосередньо визначити рухливість і час життя неосновних носіїв заряду в германії (дослід Хейнса — Шоклі), з Г. Сулом відкрив вплив магнітного поля на концентрацію дірок і електронів. У 1949 передбачив можливість здійснення тріода з р — n-переходом, вивів формулу для густини повного струму в р —n-переході (рівняння Шоклі), виходячи зі своєї теорії р—n-переходу, запропонував p — n— p-транзистор. Передбачив (1951) ефект насичення в напівпровідниках, запропонував метод визначення ефективної маси.
Нобелівська премія (1956).