Бурштейна-Мосса ефект, зсув краю області власного поглинання світла напівпровідником у бік високих частот при збільшенні концентрації електронів провідності і заповненні ними зони провідності. Так, у кристалі InSb з власною провідністю край поглинання відповідає (при T=300 К) довжині хвилі λкр=7,2 мкм; після легування зразка донорами до концентрації 5·1018см-3 λкр=3,2 мкм. Бурштейна-Мосса ефект — наслідок принципу Паулі: оптичні квантові переходи можливі лише за умови, що стан, у який переходить електрон, не зайнятий іншим електроном. Встановлено незалежно один від одного американським фізиком Е. Бурштейном (Е. Burstein) і англійським фізиком Т. С. Моссом (Т. S. Moss) у 1954.