Главная

Вул Бенцион Моисеевич

Вул Бенцион Моисеевич (родился 22.05.1903)-советский физик, академик (1972; член - корреспондент 1939). Родился в Белой Церкви. Окончил Киевский политехнический институт (1928). С 1932 работает в Физическом институте АН СССР (с 1933 — заведующий лабораторией). Работы посвящены физике диэлектриков и полупроводников. Исследовал электрическую прочность диэлектриков, открыл новую форму пробоя (последовательного) диэлектрика, изучал электрические разряды в газах в однородных и неоднородных полях при различных давлениях. Исследовал твердые диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью, явления в диэлектриках при сильном гамма-облучении, установив основные закономерности изменения электропроводности диэлектриков под действием гамма-излучения. Открыл и исследовал сегнетоэлектрические свойства титаната бария (1944), чем положил начало созданию нового класса диэлектриков, широко используемых в современной технике (Государственная премия СССР, 1946). В 1948 начал исследования по физике полупроводников. Под руководством Вула в нашей стране была начата разработка первых полупроводниковых диодов, транзисторов и солнечных элементов. Дальнейшие исследования в области фотоэлектрических явлений привели к созданию кремниевых фотоэлементов солнечных батарей. Создал диффузионный транзистор и предложил р — n-переходы в полупроводниках использовать в качестве нелинейных конденсаторов. При непосредственном участии Вула созданы (1963) первые в СССР полупроводниковые лазеры (Ленинская премия, 1964). Герой Социалистического Труда (1969).

СМОТРИТЕ ТАКЖЕ: